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武漢儀器/儀表

全武漢儀器/儀表信息

共找到 151 條信息
  • igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

    igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備

    普賽斯igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476 測(cè)試項(xiàng)目 集
    面議
    2025-04-08
  • 晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

    晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表

    武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作S系列源表 應(yīng)用 分立器件特性測(cè)試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、
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    2025-04-08
  • 直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表

    直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%
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    2025-04-08
  • 脈沖IV特性測(cè)試數(shù)字源表

    脈沖IV特性測(cè)試數(shù)字源表

    PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者
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    2025-04-08
  • 晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀

    晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀

    晶體管特性圖示儀iv+cv曲線掃描儀優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六； 產(chǎn)品特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可
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    2025-04-08
  • 國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀

    國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀

    國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，U秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，詳詢一八一四零六六三四七六 數(shù)字源表基本功能 集多種功能為一體的精密測(cè)量?jī)x器，主要是測(cè)量電氣性能 SMU可以當(dāng)電源,
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    2025-04-08
  • 大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀

    大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀

    普賽斯分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)
    面議
    2025-04-08
  • 高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表

    高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DPX00B雙通道高精度臺(tái)式脈沖源表是在單通道脈沖臺(tái)式源表基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，單通道最大輸出電壓達(dá)300V，最大脈沖輸出電流達(dá)30A，支持四象限工作，2個(gè)通道可獨(dú)立或組合工作。 DPX00B雙
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    2025-04-08
  • 半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用
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    2025-02-27
  • 寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度； 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便； 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)； 在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀

    SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料
    面議
    2025-02-27
  • MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)

    MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)

    通常，氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。而且，使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更
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    2025-02-27
  • 汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備

    汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備

    汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)介 電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極
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    2025-02-27
  • 大電流脈沖源表

    大電流脈沖源表

    P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表
    面議
    2025-02-27
  • 高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性

    高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性

    憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)
    面議
    2025-02-27
  • 數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)

    數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)

    半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲線，來(lái)決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類(lèi)繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相
    面議
    2025-02-27
  • 基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色： 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開(kāi)放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心，覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試；示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集
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    2025-02-27
  • 功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表

    功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表

    P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適
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    2025-02-27
  • led漏電流測(cè)試高精度源表

    led漏電流測(cè)試高精度源表

    LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱(chēng)為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測(cè)試電流，或者加電流測(cè)試電壓
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    2025-02-27
  • 雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表

    雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量
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    2025-02-27
  • GaN HEMT器件特性測(cè)試儀

    GaN HEMT器件特性測(cè)試儀

    GaN HEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。GaN HEMT器件特性測(cè)試儀就找普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 基于普賽斯S/CS系列源表的直流l-V特性測(cè)試系統(tǒng) 基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓
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    2025-02-27
  • 高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁
    面議
    2025-02-27
  • KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源

    KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源

    E系列KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 十ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3500V的輸出； 0.1%測(cè)試精度； 同步電流或電壓測(cè)量； 支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充
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    2025-02-27
  • PL202型脈沖式直流電源

    PL202型脈沖式直流電源

    PL202型脈沖式直流電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 超窄至1us的脈沖； 大到30A的脈沖電流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 豐富的軟件接口； PL202型脈沖式直流電源應(yīng)用 醫(yī)療、美容激光器，典型波長(zhǎng)為808nm等 光纖、固體激光器的泵浦源，典型波長(zhǎng)為53
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    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?，詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
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    2025-02-27
  • led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降
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    2025-02-27
  • 二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢一八一四零六六三四七六； 二極管&
    面議
    2025-02-27
  • 硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基and碳化硅特性曲線測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置
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    2025-02-27
  • 大電流脈沖源表100A直流源表

    大電流脈沖源表100A直流源表

    HCP系列大電流脈沖源表100A直流源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用
    面議
    2025-02-27
  • uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源

    uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源

    uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、
    面議
    2025-02-27
  • 國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量，更準(zhǔn)確的
    面議
    2025-02-27
  • 寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表

    寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表

    寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性價(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2
    面議
    2025-02-27
  • 寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源

    寬禁帶器件測(cè)試高電壓大電流源

    GaN HEMT器件性能的評(píng)估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（I-V測(cè)試）、頻率特性（小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試）、功率特性（Load-Pull測(cè)試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱(chēng)作直流參數(shù)，是用來(lái)評(píng)估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測(cè)試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對(duì)研發(fā)人員設(shè)計(jì)器
    面議
    2025-02-27
  • 半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)是專(zhuān)為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題而創(chuàng)新開(kāi)發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定
    面議
    2025-02-27
  • 光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表

    光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表

    光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電
    面議
    2025-02-27
  • 光電二極管性能測(cè)試精密源表

    光電二極管性能測(cè)試精密源表

    光電探測(cè)器光電測(cè)試 光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)
    面議
    2025-02-27
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